Založen: May 16, 2017 Příspěvky: 48 Bydliště: Hradec Králové
Zaslal: čt říjen 08 2020, 8:49 Předmět: UDS u PowerMosfet
Ahoj,
po delší době mám možná takový trochu hloupý dotaz, ale pokud mám ABSMAXR u UDS např. 100V platí to i v rozepnutém stavu ? Například induktivní zátěž s hodně pomalou antipraralelní diodou, kdy ale další sepnutí příjde zase až po snížení UDS pod povolenou mez.
Založen: Oct 30, 2010 Příspěvky: 6610 Bydliště: Praha
Zaslal: čt říjen 08 2020, 9:10 Předmět:
Uds max je pochopitelně v rozepnutém stavu, v sepnutém stavu je Uds dané proudem a Rds ON. _________________ Krátce před tím, než se to rozbilo, tak to ještě fungovalo...
Založen: Oct 30, 2010 Příspěvky: 6610 Bydliště: Praha
Zaslal: čt říjen 08 2020, 16:34 Předmět:
Ano, Uds se překračovat nesmí. MOSFET se při překročení Uds max začne typicky sám přiotvírat, takže krátké špičky s nízkou energií ho neprorazí, ale provozovat jej tak je pochopitelně nesprávné. _________________ Krátce před tím, než se to rozbilo, tak to ještě fungovalo...
MOSFET se chová podobně jako zenerova dioda, když se překročí UDS max. začne se otvírat (dojde u něj k lavinovému průrazu). Výkonové MOSFETy mívají v dašítu uvedeno, jakou maximální energii dokážou v tom "zenerovu" režimu pobrat, aniž by je to poškodilo. Je to právě o tom spínání induktivní zátěže bez omezovací diody.
Když se podíváš do datašítu toho IRFP4110, tak tam máš sekci Avalnche Characteristics a v ní je uvedena energie osamoceného pulsu EAS a energie opakovaných pulsů EAR. Takže pokud v té rozpínané indukčnosti není větší energie, než je ta uvedená, tak se tranzistoru nic nestane a tu energii převede na teplo, přičemž "ořízne" napětí z indukčnosti někde na hodnotě >= U(BR)DSS. Pokud bys ale na tranzistor přivedl napětí větší než UDSS z tvrdého zdroje, tak tranzistor zničíš.
Založen: May 16, 2017 Příspěvky: 48 Bydliště: Hradec Králové
Zaslal: čt říjen 08 2020, 19:25 Předmět:
lesana87 napsal(a):
MOSFET se chová podobně jako zenerova dioda, když se překročí UDS max. začne se otvírat (dojde u něj k lavinovému průrazu). Výkonové MOSFETy mívají v dašítu uvedeno, jakou maximální energii dokážou v tom "zenerovu" režimu pobrat, aniž by je to poškodilo. Je to právě o tom spínání induktivní zátěže bez omezovací diody.
To je zajímavá informace, děkuji ... takže je to nakonec trochu jinak ....
uloženou energii při vypnutí cívky tedy spočítam E = 1/2 * L * I²
při 70uH a 10A se dostanu na 3.5mJ, takže by to měl tranzistor bez problému ustát
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
