Založen: Dec 07, 2007 Příspěvky: 1540 Bydliště: Litvínov
Zaslal: po březen 22 2010, 20:34 Předmět: Záměna tranzistorů
Lze při použití tranzistoru V-MOS v nabíječce akumulátorů, místo výkonového bipolárního, použít o něco menší chladič ? Pokud ano, tak asi o kolik procent ? _________________ Lepší je se zeptat a být hlupákem 5 minut, než se neptat a být hlupákem celý život.
Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: po březen 22 2010, 20:37 Předmět:
Přírodu neošidíš. _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: po březen 22 2010, 20:43 Předmět:
Téměř každá odpověď na Bastlírně je sázka do loterie.
Jak je zmínka o bipoláru, chladiči a nabíječce, dávám minimálně 80 procent lineáru... _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Založen: Dec 07, 2007 Příspěvky: 1540 Bydliště: Litvínov
Zaslal: po březen 22 2010, 21:00 Předmět:
Tak přírodu neošidím , je to lineár a srdcem nabíječky je UC3906. Teď citace z KE 6/2007 str.5. "Zároveň bylo zjištěno, že nejmenší tepelné ztráty (a tím i vyzařované teplo do okolí) vykazují výkonové tranzistory FET s kanálem N, a proto byl pro regulaci nabíjecího proudu použit výkonový tranzistor BUZ11". Tolik citace - autor p. ing.Zátopek. . _________________ Lepší je se zeptat a být hlupákem 5 minut, než se neptat a být hlupákem celý život.
Naposledy upravil BIPOLAR dne po březen 22 2010, 22:01, celkově upraveno 1 krát.
Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: po březen 22 2010, 21:17 Předmět:
Na tohle prostě nejde rozumně odpovědět...
Ano, N-FET bude méně hřát, protože se v katalogovém zapojení neotevře a tím pádem na něm nebude výkonová ztráta. Že to nebude nabíjet zřejmě není podstatné.... P-FET bude hřát úplně stejně... Možná o maličko méně než bipolár, protože v mém pdf chybí odpor v bázi bipoláru, takže přechod BE může být teoreticky přetěžován nesmyslně velkým proudem. _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Založen: Dec 07, 2007 Příspěvky: 1540 Bydliště: Litvínov
Zaslal: po březen 22 2010, 21:32 Předmět:
Ano, to máš pravdu že UC3906 N-FET v katalogovém zapojení neotevře a proto gate budí BC556 (ve schématu je dokonce KC307). V dalším pokračování doporučuje P-FET např. IRF5305. Vysvětluje to tím, že tyto P-FETY nemá a proto použil zapojení s tou KC307. Z pinu 16. je zapojen odpor 100 ohmů. _________________ Lepší je se zeptat a být hlupákem 5 minut, než se neptat a být hlupákem celý život.
Založen: Dec 07, 2007 Příspěvky: 1540 Bydliště: Litvínov
Zaslal: út březen 23 2010, 14:12 Předmět:
Tohle jsem si přečetl na webu M.Olejára :
Další vlastnosti
MOSFET mají výrazně menší teplotní závislost parametrů oproti bipolárním tranzistorům. Teplotní závislost je charakterizována tzv. krityckým proudem Drainu, což je takový proud ID, při kterém ID nezávisí na teplotě. Kvůli větší pohyblivosti elektronů než děr mají obecně lepší vlastnosti tranzistory s kanálem typu N.
www.elweb.cz
www.elweb.cz
Poznámka: Článek vznikl na základě mé přípravy na zkoušku z předmětu "Elektronické součástky a struktury" ve druhém ročníku na ČVUT FEL. Problematiku jsem se snažil popsat vlastními slovy tak, jak jsem ji já pochopil a aby mohla být pochopena normálním smrtelníkem. Článek neodráží kvalitu ani rozsah výuky zmíněného předmět _________________ Lepší je se zeptat a být hlupákem 5 minut, než se neptat a být hlupákem celý život.
Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: út březen 23 2010, 15:42 Předmět:
Což znamená, že když použiješ MOSFET v lineárním výkonovým zesilovači, budeš mít docela peklo s nastavením a udržením správného pracovního bodu při měnící se teplotě tranzistoru. _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Založen: Dec 07, 2007 Příspěvky: 1540 Bydliště: Litvínov
Zaslal: út březen 23 2010, 17:32 Předmět:
Zdeňku, já tu mám při ruce jak FETY N i P,tak např. i bipoláry TIP147,BDW84 či BDV66 - jenom to chci vyzkoušet. Mně se hlavně líbí ta třístavová nabíječka s tím UC3906 pro gelovku v mém autě. Mám to již vyzkoušené s BDW84C a makala jako hodinky, až na to docela velké topení . _________________ Lepší je se zeptat a být hlupákem 5 minut, než se neptat a být hlupákem celý život.
Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: út březen 23 2010, 17:43 Předmět:
Ten tranzistor se chová jako řízenej odpor a výkonová ztráta na něm v lineárním režimu bude pořád stejná, bez ohledu na vnitřní strukturu. _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Založen: Dec 07, 2007 Příspěvky: 1540 Bydliště: Litvínov
Zaslal: út březen 23 2010, 18:25 Předmět:
A to ještě musím počítat při použití FETů s horším odvodem tepla, protože jsou v pouzdru TO220. Tak to osadím bipolárem . _________________ Lepší je se zeptat a být hlupákem 5 minut, než se neptat a být hlupákem celý život.
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
, je to lineár a srdcem nabíječky je UC3906. Teď citace z KE 6/2007 str.5. "Zároveň bylo zjištěno, že nejmenší tepelné ztráty (a tím i vyzařované teplo do okolí) vykazují výkonové tranzistory FET s kanálem N, a proto byl pro regulaci nabíjecího proudu použit výkonový tranzistor BUZ11". Tolik citace - autor p. ing.Zátopek. 
.
