MKO pomocí CMOS logiky, deadtime generátor

[samponek]

Odpory 1R ve skutečnosti na prototypu nejsou zapojeny, čas vzrůstu řídím napájením budičů v rozsahu 8V až 14V.

Například u spínaného zdroje, kde je mrtvý čas 1us ( s odpojeným trafem, to znamená, že jede bez zpětné vazby a s plnou střídou) mrtvý čas taky není vidět, ale když výstup tranzistorů zatížím žárovkou, tak se mrtvý čas viditelně objeví.

Mate mě to, že se mrtvý čas u zesilovače neukazuje, i když tranzistory zatížím žárovkou, přitom můstek zesilovače je zapojený úplně stejně jako můstek zdroje, včetně stejných součástek, jen s rozdílem, že zesilovač musí mít zapojenou kladnou zpětnou vazbu.

2A budič dle pokusů nestačíl, hrana byla dlouhá 500ns, nešly použít, ve zdroji by se to ještě nějak vsáklo. ale u zesilovače už ne.

Zatížení žárovkou je samozřejmě proti středu, nebo mostu.

[samponek]

Rozhodl jsem se, že zesilovač budu řídit pravoúhlým oscilátorem stejně jako zdroj a dám do zpětné vazby DC servo s neinvertujícím integrátorem.
Tím je otázka mrtvého času vyřešena, děkuji za příspěvky.

[danhard]

Obávám se, že se pro ten tranzistor nic nezmění.
Ten náboj z Drain musíš odést a jestli je to 100nC, tak je to 100mA po dobu 1us. Je úpně jedno, že už máš na Gate 0V.
Kolik Ti teče tou žárovkou ? dej tam 500W a uvidíš, že se ten death-time ukáže
Pokud Ti v mrtvém čase nezajistí komutaci indukčnost, tak ten náboj musíš nabít odporově tím horním tranzistorem a ztráty narůstají s napětím a je celkem jedno, jak dlouho to trvá.

100nC 1A -> 100ns
Mezi kolektory dáš 100R odpor 10W
Při 100V napájení tam potěče špičkový proud 1A
Je to nelineární, ale při 10V na tranzistoru jsi už odvedl cca 90% náboje
Na odporu bude špičkový výkon 100W po dobu 90ns pak to rychle klesne a napětí vyletí nahoru, takže energie na odporu cca 10uWs
Kdyby tam ten odpor nebyl, tak budou proudy větší, děj kratší, ale ztracená energie stejná a při hraně nahoru na tom horním tranzistoru.
Při 500kHz jen tato část ztrát 5W.
Při 300V napájení 15W.

[samponek]

Zkusím žárovku 500W, možná je to tím, že u zdroje se mrtvý čas ukáže i při zátěži 100mA že jede na 43khz.

[danhard]

Samponku, všechno je to popsané v datasheetu jako časy při odporovém spínání.
Ty časy platí pro uvedené proudy (u IFX94N50 je to 47A), pro nižší proudy se rozpínací časy úměrně prodlouží.

Pokud to chceš používat i pro menší spínané a hlavně rozpínané proudy, tak je dobré si chování toho tranzistoru definovaně odměřit, aby jsi věděl, co se potom v tom zapojení děje a na co si máš dát pozor.

Je to horší, než jsem počítal, i se zkratovaným Ugs musíš nabíjet výstupní kapacitu Coss, ztráty asi 5x větší.

S takovým tranzistorem jde udělat bez problému měnič 4kW na 400V, ovšem jen tak do 100kHz a s komutací zajištěnou indukčností trafa.

Driver potřebuješ asi na 1/4 komutačního proudu, UCC21540 by mělo pro začátek stačit.

[Cust]

V tomto jsou lepší SiC MOSFET. S tranzistorem C3M0065090J jsem dělal obdélníkové pulsy kratší než 60 ns s opakovačkou okolo 1 MHz.

[Cust]

V tomto jsou lepší SiC MOSFET. S tranzistorem C3M0065090J jsem dělal obdélníkové pulsy kratší než 60 ns s opakovačkou okolo 1 MHz.

[danhard]

Může začít s nějakým levným papírákem G3R350MT12D a pak trochu přidat UJ4C075033K4S

[samponek]

danhard má pravdu, při použití IXFX94N50 to na 500khz nejde kvůli velké Coss, která je 1n4, musím použít C3M. vyhovuje Vds 650V

[Cust]

Na tranzistory jsem věšel ještě transily, já měl několik tranzistorů v sérii (asi na 12 kV), ale od věci to nebude ani v tvém případě. Na každý tranzistor jsem dal v sérii 3 ks SMCJ250A.

EDIT: pokud chceš rychlou reakci, tak asi nejlepších výsledků dosáhneš s transily od STM.

[Cust]

Na tranzistory jsem věšel ještě transily, já měl několik tranzistorů v sérii (asi na 12 kV), ale od věci to nebude ani v tvém případě. Na každý tranzistor jsem dal v sérii 3 ks SMCJ250A.

EDIT: pokud chceš rychlou reakci, tak asi nejlepších výsledků dosáhneš s transily od STM.