Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: čt únor 15 2018, 17:51 Předmět: Tříosý magnetometr v silném pulsním mg poli
Dnes se dá sehnat hromada magnetometrů (klidně kombinovaných s gyroskopem atd.) používaných k výrobě elektronických kompasů, ale já potřebuju vědět jednu důležitou věc.
Pokud je vystaven relativně silnému mg poli (čas řádově stovky mikrosekund), za jak dlouho je schopen se "vzpamatovat" a opět měřit běžné mg pole země. Má to nějakou setrvačnost ?
Tie magnetometre na 99,9% vyuzivaju Hallove snimace. A Hallow snimac je kus placateho drotu - vodica alebo polovodica. Teda hlavne polovodica. Takze Hallov snimac sa spamata urcite 1000x skor, ako k nemu pripojeny snimaci zoilnovac. A aj ten zosilnovac sa spamata z pripadnej saturacie urcite 1000x skor, nez analogovo/cislicovy prevodnik vykona dalsie meranie a odosle data po I2C ci SPI zbernici.
Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: čt únor 15 2018, 19:10 Předmět:
Tak dejme tomu, že mu dám 1ms magnetickou "pecku", a za 5ms změřím data (rychlost I2C či SPI nehraje roli, to je pár desítek us).
Já nepotřebuju diskrétní hodnotu, ale spíš jen výraznou změnu v určité situaci. Stejně se bude průměrovat cca 8-16 vzorků.
Pokud je to reálné, tak je to OK. Nerad bych strávil týden programováním a testy, abych pak zjistil, že je to pomalý... _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Senzor MAG3110 viz. obr. 2.1.1 představuje miniaturní, nízkoenergetický, 3D
digitální magnetometr s rozhraním I2C, doplnitelný podpůrným akcelerometrem.
Součástka funguje na principu TMR (Tunnel Magnetoresistance) . Jedná se o
několikavrstvou (nejméně třívrstvou) polovodičovou technologii reagující na velikost
vnějšího magnetického pole změnou odporu. Na rozdíl od jiných technologií jako je
AMR (Anisotropic Magnetoresistance), nebo GMR (Giant Magnetoresistive effect)
vykazuje TMR nejvyšší citlivost, tedy největší změny el. odporu (30-70%) v závislosti
na vnějším magnetickém poli. Nevýhodou však je omezená linearita změny odporu
vlivem magnetického pole, větší teplotní závislost a nelineární V-A charakteristika.
Základní uspořádání tvoří dvě feromagnetické vrstvy mezi nimiž je vrstva elektricky
nevodivá, např. vrstva oxidu hliníku. Z výše uvedeného lze učinit závěr, že touto
vrstvou elektrický proud protékat nebude, neboť vodivé vrstvy jsou odděleny
izolantem. Není tomu tak, protože samotný izolant má šířku několik atomů, řádově v
jednotkách nanometrů, a energie elektronů je taková, že tuto vrstvu snadno
překonají,– protunelují. Zde již přestávají platit zákony klasické Newtonovské fyziky a
začíná se uplatňovat fyzika kvantová. Jednotlivé možnosti pohybu elektronů potom
blíže popisuje energetický pásový model s Fermiho hladinou. Tato hladina odděluje
od sebe vrstvu valenční a vodivostní a určuje jak velkou energii je nutné dodat
elektronu aby přešel z valenční vrstvy do vrstvy vodivostní. U vodičů dochází téměř
k dotyku nebo i překrytí mezi valenční a vodivostní vrstvou tudíž dodaná potřebná
energie pro přechod je tedy malá. U izolantů je mezi těmito vrstvami ještě tzv.
zakázaná oblast a v tomto případě je nutné dodat elektronu větší energii potřebnou k
přechodu do vodivostní vrstvy. V případě slabé vrstvy izolantu a následované vrstvou
s dostatečným počtem volných energetických hladin, kam se mohou elektrony
přesunout, může dojít ke zmiňovanému protunelování skrze vrstvu izolantu i s malou
dodanou energií. Nezbytnou podmínkou je ovšem přítomnost volných energetických
hladin jak ve vodivostní vrstvě před, tak i ve vrstvě za izolantem. Stejně jako u GMR
zde hraje roli i spin elektronů. Podobně jako u GMR má zde důležitou roli spin
elektronů V případě souhlasného zmagnetování vrstev kolem izolační vrstvy, tak
mohou elektrony se souhlasným spinem odpovídající magnetickému momentu
feromagnetických vrstev), tunelovat přes vrstvu izolantu. Strukturou tedy bude
protékat proud a výsledný odpor celé struktury bude malý. Bude-li však jedna
z vrstev zmagnetizována opačně, pak pro elektrony z první feromagnetické vrstvy
není za izolantem dostatečný počet energetických hladin, není splněna podmínka pro
tunelování a celkový odpor struktury bude příliš velký.
_________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
