Vítejte na Elektro Bastlírně
Nuke - Elektro Bastlirna
  Vytvořit účet Hlavní · Fórum · DDump · Upload · Profil · Zprávy · Hledat na fóru · Hledat v článcích

Dobrovolné příspěvky na provoz EB

Nuke - Elektro Bastlirna: Diskuzní fórum

 FAQFAQ   HledatHledat   Uživatelské skupinyUživatelské skupiny   ProfilProfil   Soukromé zprávySoukromé zprávy   PřihlášeníPřihlášení 

N-MOSFET chování při překročení VDS max.

 
Přidat nové téma   Zaslat odpověď       Obsah fóra Diskuzní fórum Elektro Bastlírny -> Teorie
Zobrazit předchozí téma :: Zobrazit následující téma  
Autor Zpráva
frpr666
Běžný uživatel
Běžný uživatel



Založen: Dec 28, 2009

PříspěvekZaslal: st září 13 2017, 21:49    Předmět: N-MOSFET chování při překročení VDS max. Citovat

Dobrý den,
mám takový dotaz. Co se stane s tranzistorem N-MOSFET, který má např. VDS max. =30V, ID max.=5.3A a přes "velký" rezistor 10k je přetížen napětím např. 40V v off-stavu. Dojde ke zničení polovodiče, nebo se otevře nedestruktivně jako zenerka ?
Schéma níže.



170913_schema.JPG
 Komentář:
schema přetížení VDS
 Velikost:  18.39 kB
 Zobrazeno:  2 krát

170913_schema.JPG


Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
masar
Team boss
Team boss



Založen: Dec 03, 2005

PříspěvekZaslal: st září 13 2017, 22:36    Předmět: Citovat

Určitě ne jako Zenerova dioda. Pokud dojde k průrazu, pak jen v malém okolí od "nejslabšího" místa. Ne, že by se stal vodivý celý kanál. K tepelnému poškození tak malého prostoru pak dojde i relativně malým proudem (resp. energií UdsxIdxt).
Alespoň si to myslím. Wink
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
danhard
Aktivní uživatel
Aktivní uživatel



Založen: Mar 05, 2007
Bydliště: Jesenice u Prahy

PříspěvekZaslal: čt září 14 2017, 5:58    Předmět: Citovat

Nikoliv, při překročení Vds dojde k otevření kanálu a protože je teplotní koeficient Vds kladný, tak se to rozloží na celý kanál.
MOSFETy nejde nějak vybírat na Vds, to je dané výrobou a je jen s malým přesahem nad uváděné Vdsmax.
Dokonce je tak přechod schopen pohltit značnou energii Eas při rozpínání do indukční zátěže.

Je to v každém katalogu, tak by se s tím místní teoretici měli seznámit Laughing
https://www.vishay.com/docs/91021/91021.pdf
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
masar
Team boss
Team boss



Založen: Dec 03, 2005

PříspěvekZaslal: čt září 14 2017, 8:47    Předmět: Citovat

Ano, v těch katalozích se o tom výrobci zmiňují víceméně letmo a také většina uživatelů (včetně mě) se oblastem nad Bvds snaží vyhnout. Ale je to oblast zajímavá, než jsem napsal svůj laický názor, přečetl jsem si tento, dle mého názoru zajímavý článek, který o problematice pojednává trochu podrobněji. A snad jsem se nechal zmást tím náhradním schematem MOSFETu s parazitním bipolárem a popisem lavinového jevu.
Asi tak. Wink
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
danhard
Aktivní uživatel
Aktivní uživatel



Založen: Mar 05, 2007
Bydliště: Jesenice u Prahy

PříspěvekZaslal: čt září 14 2017, 9:12    Předmět: Citovat

masar napsal(a):
Ano, v těch katalozích se o tom výrobci zmiňují víceméně letmo ...

Ano, je to letmo tak, že je u Vds uváděný teplotní koeficient, je tam maximální a opakující avalanche energie a maximální avalanche proud, je tam i schema jak se to měří a graf závislosti na teplotě pro různé proudy Rolling Eyes

Kyby jsi měl nějaké praktické zkušenosti, tak by jsi nemohl plácnout takovou kravinu.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
masar
Team boss
Team boss



Založen: Dec 03, 2005

PříspěvekZaslal: čt září 14 2017, 9:45    Předmět: Citovat

Vždyť jsem psal, že se oblastem nad BVdss vyhýbám, takže žádné praktické zkušenosti s tímto problémem nemám a nad zničeným MOSFETem si hlavu nelámu, také jsem jich v životě moc nezničil.
Z těch katalogových údajů bych (pro účel tohoto vlákna) vyzdvihl hlavně ten údaj EAR, který říká, že nesmí být překročena energie 15mJ (t.j. 15mWs) a z toho bych vycházel při výpočtu omezovacího odporu pro tuto "zenerku".
Wink
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
danhard
Aktivní uživatel
Aktivní uživatel



Založen: Mar 05, 2007
Bydliště: Jesenice u Prahy

PříspěvekZaslal: čt září 14 2017, 10:00    Předmět: Citovat

Jenže Repetitive Avalanche Energy je vázána na výkonové zatížení chipu, nic tam není o tom, že by to byl nějaký parazitní lokální průraz citlivý na poškození.
Celá ta struktura vertikálního mosfetu dělá v důsledku lavinovou zenerku, značně odolnou na přetížení.

To vše se v katalogu od IR dočteš, ale SOA pro dc tam třeba není Very Happy
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
masar
Team boss
Team boss



Založen: Dec 03, 2005

PříspěvekZaslal: čt září 14 2017, 10:12    Předmět: Citovat

No tak zkus navrhnout řešení předřadného odporu. Budeš vycházet z Maximum Power Dissipation?
Wink
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
breta1
Super uživatel
Super uživatel



Založen: Sep 09, 2005

PříspěvekZaslal: čt září 14 2017, 10:23    Předmět: Citovat

Ta absence tabulky SOA pro DC mě taky někdy s.re.
Buď se to dá najít u jiného výrobce, nebo se to dá trochu odhadnout od grafů těch single pulse.
Tady třeba ten IRF540



irf540.PNG
 Komentář:
 Velikost:  31.59 kB
 Zobrazeno:  1 krát

irf540.PNG




Naposledy upravil breta1 dne čt září 14 2017, 10:29, celkově upraveno 1 krát.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
danhard
Aktivní uživatel
Aktivní uživatel



Založen: Mar 05, 2007
Bydliště: Jesenice u Prahy

PříspěvekZaslal: čt září 14 2017, 10:28    Předmět: Citovat

No jistě, k ničemu jinému než Ptot to nevede.
Naopak v lineárním režimu, kdy je kanál pootevřen napětím Gate bych byl s výkonem opatrnější. Ugs má záporný teplotní koeficient a vznikají tam horká místa a termální průraz.
Ani spínání do kapacitní zátěže není tak jednoduché Very Happy

ps. všimněte si, že IRF540 od ST má poněkud opatrnější Ptot Very Happy
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
Zobrazit příspěvky z předchozích:   
Přidat nové téma   Zaslat odpověď       Obsah fóra Diskuzní fórum Elektro Bastlírny -> Teorie Časy uváděny v GMT + 1 hodina
Strana 1 z 1

 
Přejdi na:  
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra.
Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru.
Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru.
Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru.
Nemůžete hlasovat v tomto fóru.
Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům
Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory

Powered by phpBB © 2001, 2005 phpBB Group
Forums ©
Nuke - Elektro Bastlirna

Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na adrese admin (zavináč) ebastlirna.cz


PHP-Nuke Copyright © 2005 by Francisco Burzi. This is free software, and you may redistribute it under the GPL. PHP-Nuke comes with absolutely no warranty, for details, see the license.
Čas potřebný ke zpracování stránky 0.12 sekund