Zdravím,
zajímalo by mě, jaký bude zhruba odběr budiče TLP250 napájeného souměrným zdrojem ±15 V (střed napájení bude na S tranzistoru, na gate bude +15 V nebo -15 V, když nebudu počítat s úbytkem na budiči), který bude ovládat běžný N-MOSFET 100 V 30 A (nebo dva paralelně) při kmitočtu řekněme 100 až 300 kHz.
Děkuji za odpovědi.
Založen: Jan 06, 2017 Příspěvky: 137 Bydliště: Litovelsko
Zaslal: ne leden 29 2017, 18:25 Předmět:
Děkuji za odpovědi, možná jsem hňup, ale alespoň dokážu porozumět textu psanému v rodném jazyce.
Jasně píšu, že střed napájení by byl na source MOSFETu, budič by byl napájen ±15 V, to je dohromady 30 V.
Založen: Jan 06, 2017 Příspěvky: 137 Bydliště: Litovelsko
Zaslal: ne leden 29 2017, 18:43 Předmět:
Asi stačí, nemám s tím moc zkušenosti, ale potřeboval jsem vědět, jaký by byl zhruba odběr toho budiče, protože bych ho napájel monolitickým DC-DC izolovaným měničem.
Založen: Mar 05, 2007 Příspěvky: 6080 Bydliště: Jesenice u Prahy
Zaslal: ne leden 29 2017, 18:56 Předmět:
Bežný 100V 30A MOSFET s Qg kolem 100nC a 300kHz bude mít s 10V buzením spotřebu cca 30mA + 10mA klidový odběr TLP250.
Rychlosti hran kolem 50-100ns.
Když bude buzení 30V, tak se spotřeba zvýší asi na dvojnásobek.
Založen: Oct 30, 2010 Příspěvky: 6602 Bydliště: Praha
Zaslal: ne leden 29 2017, 20:34 Předmět:
Když jsem řešil buzení SiC tranzistoru, bylo v jeho datasheetu taktéž doporučeno v zavřeném stavu přivést na gate -5V. Pracovní frekvence byla 1MHz a jediný rozdíl proti zavírání gate na 0V bylo výrazně vyšší oteplení gatedriveru. Tranzistoru se teplota měřitelně (infrateploměrem, takže v řádu jednotek stupňů) nezměnila. Jestli to bylo o nějaké desetiny, to nevím a neřeším, zjednodušení obvodového řešení gatedriveru a snížení jeho teploty bylo dostatečnou motivací záporné napětí vypustit.
Založen: Mar 05, 2007 Příspěvky: 6080 Bydliště: Jesenice u Prahy
Zaslal: ne leden 29 2017, 20:55 Předmět:
Málokdo si uvědomuje, co tam způsobuje idnukčnost přívodu source.
Změna 10A za 100ns způsobí na 10nH (cca 10 mm přívod) úbytek 1V, který působí proti buzení.
Založen: Dec 02, 2011 Příspěvky: 2676 Bydliště: Jaroměř
Zaslal: út leden 31 2017, 20:24 Předmět:
Maxipes_ napsal(a):
Protože jsem někde četl, že by se měl MOSFET takovým způsobem rychleji zavírat.
Pak se ale zas bude hůř otvírat když ten G toho MOSFETu bude nabitej opačně a bude se taky víc zatěžovat driver.Na to se používalo do -3V při otvírání 15V a jenom u starejch silovejch trandů s tupym G.Ty nový MOSFETy stačí zavřít tim driverem vybít G do země.
BTW.Známý drivery 3120 a IR21xx zavíraj proti zemi a používaj se i na jiný MOSFETy než od IR.
ad.přívody: Na 100-300kHz už bude dost znát i rozložení,nejen dýlka.
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku 1, 2Další
Strana 1 z 2
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
