Vítejte na Elektro Bastlírn?
Nuke - Elektro Bastlirna
  Vytvořit účet Hlavní · Fórum · DDump · Profil · Zprávy · Hledat na fóru · Příspěvky na provoz EB

Vlákno na téma KORONAVIRUS - nutná registrace


Nuke - Elektro Bastlirna: Diskuzní fórum

 FAQFAQ   HledatHledat   Uživatelské skupinyUživatelské skupiny   ProfilProfil   Soukromé zprávySoukromé zprávy   PřihlášeníPřihlášení 

Buzení unipoláru

 
Přidat nové téma   Zaslat odpověď       Obsah fóra Diskuzní fórum Elektro Bastlírny -> Teorie
Zobrazit předchozí téma :: Zobrazit následující téma  
Autor Zpráva
Skay



Založen: Feb 22, 2007
Příspěvky: 650
Bydliště: Tábor (jih)

PříspěvekZaslal: út květen 18 2010, 18:13    Předmět: Buzení unipoláru Citovat

Zdravim,

Chtěl bych se zeptat proč se v některých zapojeních používá k buzení unipolárních trandů symetické napětí a někde nesymetrické ? Má to nějaký podstatný vliv na vypínací časy nebo je to kvůli konstrukci samotného spínacího prvku ?
Je to tak že N-FET s vodivým kanálem neuzavřu uzemněním jeho hradla ale pouze přivedením záporného napětí na gate ?
Kdežto N-FET s indukovaným kanálem stačí pro uzavření uzemnit ?
Má tedy smysl řídit N-FET s indukovaným kanálem signálem se symetrickým napětím ?

Ještě jen tak na okraj. V datashitu pro IGBT tranzistory jsem nenašel údaj který by mi řekl jakého typu je vstupní trand. Podle čeho tedy volit ?

Děkuji.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
AmarokCZ



Založen: Dec 20, 2006
Příspěvky: 2838
Bydliště: Poličské krystalinikum

PříspěvekZaslal: út květen 18 2010, 21:33    Předmět: Citovat

Pokud je N-FET s indukovaným kanálem, tak stačí uzemnit a tranzistor se zavře (nemusí se uzemnit, stačí 0.5 až 3V podle typu). U IGBT se vstup chová jako N-MOSFET, tudíž stačí uzemnit. Symetrické napětí se používá snad jen u J-FET, u MOSFETu je to zbytečné, protože ty jsou s indukovaným kanálem.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Zobrazit autorovy WWW stránky
rezis



Založen: Nov 17, 2005
Příspěvky: 5229

PříspěvekZaslal: út květen 18 2010, 21:39    Předmět: Citovat

Myslím, že už jsem viděl že na gate mosfetu se přiváděl záporný impluz pro rychlejší zavření tranzistoru.
_________________
Internet - metla lidstva
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
Andrea



Založen: Sep 07, 2007
Příspěvky: 9340

PříspěvekZaslal: út květen 18 2010, 21:44    Předmět: Citovat

AmarokCZ napsal(a):
Symetrické napětí se používá snad jen u J-FET
To asi ne.

Symetrické buzení se používá například při buzení přes transformátor. Není nutné ale není na škodu a může některé věci usnadnit a třeba i zvýšit odolnost zavřeného tranzistoru proti velkému duds/dt.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
AmarokCZ



Založen: Dec 20, 2006
Příspěvky: 2838
Bydliště: Poličské krystalinikum

PříspěvekZaslal: út květen 18 2010, 22:02    Předmět: Citovat

Andrea: no a jak jinak chceš ovládat J-FET, když potřebuje záporné napětí aby se zavřel?
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Zobrazit autorovy WWW stránky
Skay



Založen: Feb 22, 2007
Příspěvky: 650
Bydliště: Tábor (jih)

PříspěvekZaslal: út květen 18 2010, 22:05    Předmět: Citovat

Našel jsem v jednom článku "Tranzistor IGBT se musí vypínat záporným napětím, není dovoleno vypínat je pouze nulovým napětím."

http://www.zesilovace.cz/view.php?cisloclanku=2003060202

Sice jsem v datashitu neviděl zdali by se měl vypínat záporným napětím, zato se uvádí propustný proud při Uge=0V z čehož bych soudil, že stačí zemnit. Question Tak kde je pravda ? Nebo to prostě není až tak podstatné a "jen" to zlepší dynamické vlastnosti a odolnost vůči rušení ?

A jak by jste spojovali paralelně IGBT ? jako bipolární trandy s malým emitorovým odporem ?

Díky.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Odeslat e-mail
Venda



Založen: Mar 22, 2006
Příspěvky: 431
Bydliště: Na soutoku Labe a Orlice

PříspěvekZaslal: st květen 19 2010, 7:29    Předmět: Citovat

To se mi nezdá, roky používáme několik tisíc, spíš desítek tisíc přístrojů s IGBT tranzistory BUP213 a jsou zavíraný pouze připojením na zem, žádný záporný napětí se tam nekoná a kdyby s tí měl být nějaký problém, už by se to určitě projevilo.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
Andrea



Založen: Sep 07, 2007
Příspěvky: 9340

PříspěvekZaslal: st květen 19 2010, 8:25    Předmět: Citovat

AmarokCZ napsal(a):
Andrea: no a jak jinak chceš ovládat J-FET, když potřebuje záporné napětí aby se zavřel?

Potřebuješ POUZE záporné napětí, při kladném se to už nechová jako tranzistor ale jako dioda. Takže J-FET se zcela určitě nebudí symetricky. Wink
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
AmarokCZ



Založen: Dec 20, 2006
Příspěvky: 2838
Bydliště: Poličské krystalinikum

PříspěvekZaslal: st květen 19 2010, 9:51    Předmět: Citovat

Andrea: chápu jak to myslíš, ale stejně napájení v mnoha případech potřebuješ symetrické kvůli potřebě toho záporného napětí, k buzení se samozřejmě používá jen to záporné.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu Zobrazit autorovy WWW stránky
Zobrazit příspěvky z předchozích:   
Přidat nové téma   Zaslat odpověď       Obsah fóra Diskuzní fórum Elektro Bastlírny -> Teorie Časy uváděny v GMT + 1 hodina
Strana 1 z 1

 
Přejdi na:  
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra.
Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru.
Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru.
Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru.
Nemůžete hlasovat v tomto fóru.
Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům
Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory

Powered by phpBB © 2001, 2005 phpBB Group
Forums ©
Nuke - Elektro Bastlirna

Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.


PHP-Nuke Copyright © 2005 by Francisco Burzi. This is free software, and you may redistribute it under the GPL. PHP-Nuke comes with absolutely no warranty, for details, see the license.
Čas potřebný ke zpracování stránky 0.15 sekund