Mam takovy trapný dotaz, ale nechce se mi to tu teď bastlit a zkoušet. Potřebuji spínat IGBT transistor, ale nechce se mi tam dávat budič, protože to je:
a) LowCost řešení
b) Není pro mě kritický čas plného otevření
Bohatě mi postačuje 100uS, protože PWM je 3Khz. Otázka zní, jestli to takto bude fungovat a dojde do těch 100uS k celkovému otevření a půjde to vybudit přes R30 (1k) a Q2 (2N3904) z TTL 5V MCU, nebo tam budu muset dát Darlington. Případně jestli by stačilo, kdyby byl R30 4k7. Napájení TTL logiky je oddělené přes spínaný zdroj 5V se společnou zemí.
Založen: Feb 14, 2005 Příspěvky: 8991 Bydliště: Brno (JN89GF)
Zaslal: čt prosinec 10 2009, 15:20 Předmět:
Otazka je, jaky napeti je pred R30? Proud do hradla potece pres R29. Jaka je kapacita prechodu? Z ni a hodnoty R29 jde zhruba vypocitat cas otevreni.
P.S. IRF630 neni IGBT, ale normalni MOSFET.
jo, ted jsem si vsimnul, ze tam budes mit 5V, takze po ustaleni bude na hradlu asi 4,4 V. To chce kouknout do katalogu, jestli je pri tomto napeti uz dostatecne otevrenej pro tvy potreby.
Naposledy upravil forbidden dne čt prosinec 10 2009, 15:23, celkově upraveno 1 krát.
Založen: Feb 14, 2005 Příspěvky: 8991 Bydliště: Brno (JN89GF)
Zaslal: čt prosinec 10 2009, 15:26 Předmět:
Jo tak to je jeste min, hlavne nezapomen, ze je dulezity napeti mezi G a S. Takze jestlize budes mit jeste nejakou zatez, tak to napeti nemusi byt dostatecny na otevreni (cast napeti bude na te zatezi).
Jo tak to je jeste min, hlavne nezapomen, ze je dulezity napeti mezi G a S. Takze jestlize budes mit jeste nejakou zatez, tak to napeti nemusi byt dostatecny na otevreni (cast napeti bude na te zatezi).
Takze jestli to chapu dobře tak darlnigton, ale jak jsem psal, tak proud MAX 4A a TTL je napájeno nezávysle.
Naposledy upravil goody dne čt prosinec 10 2009, 15:30, celkově upraveno 1 krát.
Založen: Feb 14, 2005 Příspěvky: 8991 Bydliště: Brno (JN89GF)
Zaslal: čt prosinec 10 2009, 15:32 Předmět:
goody napsal(a):
Takze jestli to chapu dobře tak darlnigton.
Dulezity je co bude za tim tranzistorem, takhle na casti se to neda rict. Napeti na gate meris vzhledem k zemi, ale pro otevreni je dulezity vzhledem k source. Takze jestlize bude ze source nejaka zatez na zem, tak se na ni ztrati napeti potrebny k otevreni.
Popravdě zátěž bude Pb akumulátor. Budu budit PWM ten MOSFET a měřit proud a napětí na MCU. Každopádně budu muset chladit. Na druhou stránku při větších proudech nebude doba otevření tak kritická, protože PWM střída bude třeba 50%, což při 3Khz bude už snad švanda.
Toto zapojenie je uplna blbost ten fet nikdy takto neotvoris uplne.Aj ked skratujes G s D vzdy na nom bude okolo 4-5V.Pouzi P fet.
To uz to mozes linearne ovladat... _________________ Už druhý krát strihám a furt je to krátke
Toto zapojenie je uplna blbost ten fet nikdy takto neotvoris uplne.Aj ked skratujes G s D vzdy na nom bude okolo 4-5V.Pouzi P fet.
To uz to mozes linearne ovladat...
Takže změna. Teď by měl přes G-S vždy protékat proud a TTL by to měla v pohodě vybudit, pokud to dám takto. Kafe už mi nepomáhá, takže snad pomůžete Vy
Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: čt prosinec 10 2009, 16:19 Předmět:
Přesně tak, takhle nikdy ten fet naplno neotevřeš. Ovšem ve Tvým případě není problém si vyrobit pomocný zvýšený napětí a tím to otevírat, samozřejmě s ochranou zenerkou v gate.
Pulse2 je lepší, jen tam chybí příslušnej odpor, co ten fet zavře. _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Založen: Feb 14, 2005 Příspěvky: 8991 Bydliště: Brno (JN89GF)
Zaslal: čt prosinec 10 2009, 16:24 Předmět:
Jo, to uz je lepsi. Proud bude pres G-S protekat jen dokud se nenabije kapacita prechodu, pak uz ne. Ale to ti nevadi, MOSFET bude uz seplej.
Jak pise Zdenek, dej tam jeste odpor, kterej zajisti vypnuti bez buzeni.
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku 1, 2, 3, 4, 5Další
Strana 1 z 5
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
