Založen: Nov 23, 2007 Příspěvky: 919 Bydliště: Vážany
Zaslal: po listopad 09 2015, 22:02 Předmět:
Omlouvám se za časté příspěvky, ale nedá mi to. Prostě ten nejvhodnější tranzistor musím najít. Nechce se mi předělávat celou elektroniku a shánět další výkonové rezistory...
Nechápu jak může fungovat tento tranzistor FDL100N50F. Má úžasné parametry, které by pro tuto aplikaci vyhovovaly.
Teď mi dochází jak jsou totálně zcestné parametry výkonových součástek. Stačí dát součástce malý pouzdro.
2,5kW při 25°C a každý stupeň nahoru o 20W míň. I kdyby se chladilo kapalným dusíkem, tak přes to malý pouzdro TO264 půjde teplota přechodu nahoru jak prase. Pak stačí určit ta správná omezení.
Kurňa copak je nemožný sehnat jeden blbej výkonovej tranzistor?
Tranzistor IXFN80N50 by mohl být pro elektronickou zátěž vhodnější. Má širší pásmo regulace VGS. Má ovšem při Tj 125°C RDS(ON) cca. 0,122 Ohm, plus rezistor 0,1 Ohm rezistor v sérii, plus nějaké úbytky, to je 0,25 Ohm na celou elektronickou zátěž. Takže při 30A je celkový úbytek 7,5 V. Má velké pouzdro a na e-bayi se dá použitý za 400-500 sehnat.
Je otázkou na kolik si troufáš konstrukčně, existuje třeba proudový senzor:
http://www.farnell.com/datasheets/1934063.pdf
A není drahý, místo snímacího odporu proudu. Pokud jsou pravdivé charakteristiky v datašítech tak při paralelním řazení tranzistor MOSFET s větším proudem se ohřeje víc, vzroste mu el. odpor a proud jím klesne, mělo by se to samo uregulovat. A nebyly by třeba vyrovnávací odpory. Mosfety IXYS, o kterých se tu psalo výše mají odpor v otevřeném stavu kolem 4 mΩ, proudový senzor 1,1 mΩ úbytek napětí by byl podstatně menší.
Je to o čase, chuti něco zkusit sám, asi i o penězích.
Založen: Nov 23, 2007 Příspěvky: 919 Bydliště: Vážany
Zaslal: st listopad 11 2015, 22:59 Předmět:
Nemám zkušenosti s MOSFETY v lineárním režimu. Podle předchozích příspěvků to rozložení výkonů mezi tranzistory,v paralelním zapojení, však nefunguje.
To, že mám v sérii rezistor 0,1 Ohm, mi nevadí. Nebudu tolik zatěžovat zdroje o tak malém napětí, aby mi to vadilo. Ba naopak. Na rezistoru se spálí více energie.
Jinak díky. O těchto proudových snímačích vím.
Ovšem nad výběrem toho nejvhodnějšího tranzistoru ještě přemýšlým. Těšil jsem se, že někdo zkušený poradí.
Kurňa copak je nemožný sehnat jeden blbej výkonovej tranzistor?
Zapomeň na výkony víc jak 100W v lineárním režimu z jednoho tranzistoru. Bez ohledu na katalogové údaje je maximální trvalá ztráta při velmi dobrém nuceném chlazení cca 50-60W z TO247 a podobných pouzder.
Založen: Nov 23, 2007 Příspěvky: 919 Bydliště: Vážany
Zaslal: čt listopad 12 2015, 17:16 Předmět:
feliz_navidad napsal(a):
Zapomeň na výkony víc jak 100W v lineárním režimu z jednoho tranzistoru. Bez ohledu na katalogové údaje je maximální trvalá ztráta při velmi dobrém nuceném chlazení cca 50-60W z TO247 a podobných pouzder.
Založen: Mar 05, 2007 Příspěvky: 6086 Bydliště: Jesenice u Prahy
Zaslal: čt listopad 12 2015, 19:33 Předmět:
Celeron napsal(a):
... Irf3205 je za pár šupů.
Strmé MOSFETy na malé napětí v TO220 nejsou na umělou zátěž vhodné.
Při velkém dc zatížení v lineárním režimu vznikají horká místa a dojde k lokálnímu přehřátí.
Založen: Apr 02, 2011 Příspěvky: 17873 Bydliště: Nový Bydžov
Zaslal: čt listopad 12 2015, 22:37 Předmět:
danhard napsal(a):
Celeron napsal(a):
... Irf3205 je za pár šupů.
Strmé MOSFETy na malé napětí v TO220 nejsou na umělou zátěž vhodné.
Při velkém dc zatížení v lineárním režimu vznikají horká místa a dojde k lokálnímu přehřátí.
V tom jsem nevině, IRF3205 má ve schematu záťěže namalovaný Gepard 8.11. o stránku zpět. _________________ Jirka
Založen: Feb 05, 2007 Příspěvky: 1723 Bydliště: Liberec - tam na severu Čech
Zaslal: čt listopad 12 2015, 22:55 Předmět:
Ano, jako názornou ukázku řízení jednotlivých trandů, které "makají" defakto paralelně. Má to odzkoušené p. Zajíc, stavěl ten vybíječ baterií prý známému a fachá to... _________________ -- Gepard --
Založen: Apr 02, 2011 Příspěvky: 17873 Bydliště: Nový Bydžov
Zaslal: pá listopad 13 2015, 0:01 Předmět:
Koukám, že asi vyhrabu dokumentaci od ruskýho "piána" - štandu na opravy a zkoušení zdrojů do EC1033. Bylo tam paralelně asi 80 těch jejich výkonových kulatých "bambuko" snad KP803. Jako zátěž to chodilo naprosto bez problémů zvládlo i trvalý zatížení pro kladívkovej zdroj z řádkový tiskárny 50V cca 60A. Pár tranzistorů v řízení, poťáky hrubě, jemně a to bylo celý. _________________ Jirka
Založen: Apr 02, 2011 Příspěvky: 17873 Bydliště: Nový Bydžov
Zaslal: pá listopad 13 2015, 12:47 Předmět:
danhard napsal(a):
KP803 ale není strmej MOSFET na malý napětí
IRFB38N20D, IXFN 180N15P, IXFK80N60P3, IXTK140N20P
Radšte si všimnout, že buď nemají uvedenou dc SOA, nebo když jo, tak jak vypadá.
Jasně, v době vývoje toho piána cca 1978 byl fet v CCCP jen kontraband dovážený z středoazijských republik.
Pamatuju, že i když to byly křemíky, že při kontrolou ohmetrem měly odpory jak germánia. Ale ta zátěž opravdu makala velice dobře. Jednou jsem ji opravoval a velice jednoduchý zapojení ale umělo jen konstantní proud. _________________ Jirka
Založen: Nov 23, 2007 Příspěvky: 919 Bydliště: Vážany
Zaslal: pá listopad 13 2015, 16:58 Předmět:
danhard napsal(a):
KP803 ale není strmej MOSFET na malý napětí
IRFB38N20D, IXFN 180N15P, IXFK80N60P3, IXTK140N20P
Radšte si všimnout, že buď nemají uvedenou dc SOA, nebo když jo, tak jak vypadá.
IRFB38N20D jsem koupil kvůli ztrátovému výkonu a nějak se mi líbil. Když se teď dívám na ty křivky, tak bych jej nekoupil. Naproti tomu, než se tranzistor prorazil, se zátěž chovala překvapivě dobře. A i s pouzdrem TO220 se uchladilo 200W.
Založen: Nov 23, 2007 Příspěvky: 919 Bydliště: Vážany
Zaslal: pá listopad 13 2015, 22:43 Předmět:
Pro maximální přenos tepla na chladič je potřeba pořádná styčná plocha. Největší pouzdra co jsem našel jsou: ISOTOP a miniBLOC, SOT-227 B.
ISOTOP i SOT-227 B mají stejnou plochu 38mm x 25mm
Vybral jsem parametry některých tranzistorů:
IXFN80N50Q2
ID 72A
Rthj-c 0.14 °C/W
PD 890 W
Derating factor ?°C/W
graf SOA chybí
ID / Tc ≈ 30A / 125°C
STE70NM50
ID 70A
Rthj-c 0.2 °C/W
PD 600 W
Derating factor 5°C/W
graf SOA (není dáno při jaké teplotě - asi Tc 25°C)
20V/20A
STE70NM60
ID 70A
Rthj-c 0.2 °C/W
PD 600 W
Derating factor 4.5°C/W
graf SOA (Tc 25°C)
20V/20A
Krásná křivka Transfer Characteristics ID / VGS
IXFN230N10
ID 230A
Rthj-c 0.18 °C/W
PD 700 W
Derating factor ?°C/W
graf SOA (Tc 25°C)
20V/30A
graf SOA (Tc 75°C)
20V/20A
ID / Tc ≈ 100A / 125°C
IXFN 64N60P
ID 50A
RDS(ON) 0.96 Ω
Rthj-c 0.18 °C/W
PD 700 W
Derating factor ?°C/W
graf SOA (Tc 25°C)
20V/30A
ID / Tc ≈ 30A / 100°C
Vše OK až na SOA
IXFN 140N20P
ID 50A
RDS(ON) 0.018 Ω
Rthj-c 0.22 °C/W
PD 680 W
Derating factor ?°C/W
graf SOA (Tc 25°C)
20V/15A
ID / Tc ≈ 30A / 150°C
IXFN 200N10P
ID 120A
RDS(ON) 0.017 Ω
Rthj-c 0.22 °C/W
PD 600 W
Derating factor ?°C/W
graf SOA (Tc 25°C)
NENÍ
ID / Tc ≈ 40A / 125°C
Krásná křivka Input Admittance ID / VGS
Mizerná SOA a rozdíl v Rthj-c 0.21°C/W a Transient Thermal Resistance křivkou, která vychází při DC na 0.35K/W
IXFN170N10
ID 170A
RDS(ON) 0.010 Ω
Rthj-c 0.21 °C/W
PD 600 W
Derating factor ?°C/W
graf SOA (Tc 25°C)
20V / 20A
ID / Tc ≈ 75A / 125°C
Krásná křivka Adminttance curves ID / VGS
Toto mě tak vyčerpalo, že už nejsem schopen porovnat výsledky.
Snad zítra.
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku Předchozí1, 2, 3, 4, 5Další
Strana 3 z 5
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
