Zaslal: so květen 28 2022, 21:09 Předmět: Jak výrobce určoval Pmax tranzistoru (?)
Jak výrobce určoval Pmax tranzistoru, např. KD503?
Namontoval na ideální chlazení a pak zkusmo zvyšoval P dokud se tranzitor neupekl?
Chápu, že dnes to vypočítají, ale dříve? _________________ pro mládež - Hamíkův koutek
Naposledy upravil kulikus dne so květen 28 2022, 23:46, celkově upraveno 1 krát.
Založen: Oct 11, 2008 Příspěvky: 6057 Bydliště: ZZ9 Plural Z Alpha
Zaslal: so květen 28 2022, 21:42 Předmět:
Já bych řekl, že vzal max. pracovní teplotu přechodu C-B a tepelný odpor daný velikostí čipu a konstrukcí pouzdra - resp. obráceně: pro daný Pmax si z teploty a pouzdra spočítal potřebnou plochu čipu, aby dosáhl potřebného tepelného odporu.
Já bych řekl, že vzal max. pracovní teplotu přechodu C-B a tepelný odpor daný velikostí čipu a konstrukcí pouzdra - resp. obráceně: pro daný Pmax si z teploty a pouzdra spočítal potřebnou plochu čipu, aby dosáhl potřebného tepelného odporu.
Jak se chová bipolární Si tranzistor (2N3055 v TO3, KD503) na hranici Pmax a výše? Klesne mu napětí BE při 1mA s gradientem asi -2,5 mV/C , na teplotě 175st.C tedy o 375mV.
Co se děje pokud mu teplota nadále stoupá? Průraz nebo přerušení?
Je elektrická vlastnost tranzistoru, která napoví nebo indikuje hraniční teplotu čipu? Icb0?
Sháním knihu Měření parametrů tranzistorů. _________________ pro mládež - Hamíkův koutek
Založen: Oct 11, 2008 Příspěvky: 6057 Bydliště: ZZ9 Plural Z Alpha
Zaslal: po květen 30 2022, 9:44 Předmět:
kulikus napsal(a):
Je elektrická vlastnost tranzistoru, která napoví nebo indikuje hraniční teplotu čipu? Icb0?
Řekl bych, že fyzikálně je to teplotní generování volných nositelů ve vyčerpané oblasti kolektoru u přechodu C-B, což jednak způsobí nárůst Icb0, a druhak pokles průrazného napětí Ucb.
Já bych řekl, že při příliš vysoké teplotě dojde k migraci příměsí způsobujících vodivosti P a N a tak k jejich "naředění" v pracovní oblasti. Tím dojde ke zhoršení parametrů jako ohmického odporu neboli zvýšení saturačního napětí součástky, u tranzistorů může dojít k zmenšení tloušťky vrstvy báze a tím ke zmenšení průrazného napětí atd.
Založen: Mar 30, 2012 Příspěvky: 3571 Bydliště: Havířov
Zaslal: st srpen 24 2022, 21:13 Předmět:
Osobně se domnívám že je to trošku jinak. Když rozlomíme čip tranzistoru na dvě poloviny a opatříme vývody, máme dva tranzistory o polovičním výkonu. Když ho rozlámeme na n kusů, máme n tranzistorů s celkovým výkonem rovným původnímu čipu.
Teoreticky si tedy každý tranzistor můžeme představit jako paralelní spojení nekonečně mnoho nekonečně malých tranzistorů. Ovšem všechny tyto tranzistory nebudou přesně stejné. Když to zjednoduším, každá oblast čipu bude mít trošku rozdílnou betu. Když tedy čipem tranzistoru prochází proud, nejvíce zatížené jsou plochy čipu, které mají betu největší. Těmito místy poteče většina proudu a tím se v nich bude vyvíjet nejvíce tepla. Celkový výkon tranzistoru může být jen takový, aby se tato nejvíce zatížená místa neprorazila.
A teď jde o to, jak rovnoměrně se podaří čip tranzistoru vyrobit. Dejme tomu, že výkon je stanoven tak, aby i nejhorší čipy, které ještě lze akceptovat, tento výkon přežily. Dejme tomu, že za nejhorší použitelné čipy se považují takové, kterými prochází většina proudu jen 1/4 plochy. Pro ně se stanoví nějaký bezpečný maximální výkon. Pokud se čip podaří lépe, tím líp, bude mít větší výkonovou rezervu. V průběhu výroby se však vychytávají mouchy a tak se stále více daří vyrábět čipy se stále menším rozptylem parametrů po celé jejich ploše. Pokud proud prochází celou jejich plochou téměř rovnoměrně, čip v pohodě vydrží až čtyřnásobný výkon oproti tomu, který je zaručován v katalogu.
Něco takového se podle mě muselo dít v Tesle, protože některé jejich čipy vydrží i víc.
Pokud se dobře pamatuju, tak počítat to šlo vždycky. Aspoň na VUT v materiálech něco takového bylo. Pak se to samozřejmě měřilo, ale to bylo empiricky (tedy se vyzkoušel postup) - např. se tranzistor zatížil Pmax + 25% na určený počet sekund. Po zátěži se prošly parametry, a pokud zůstaly beze změny, šel trand do světa.
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
