Podle mě neměl napsat NVRAM (to je skutečně obecný pojem), ale konkrétně FRAM (Ferroelectric RAM).
Rychlé, nepotřebují napájení ve vypnutém stavu, snášejí hodně cyklů.
Jsou i CMOS SRAM s interní baterkou, ale tam jeden nikdy neví, kdy baterka skončí. Už jsem "pár" takových řešil... _________________ Kdo chce, hledá způsob;
kdo ne - hledá důvod.
Založen: Aug 16, 2022 Příspěvky: 405 Bydliště: Roztoky
Zaslal: st březen 15 2023, 8:19 Předmět:
A pak ještě EERAM, což je EEPROM kombinovaná se SRAM. Pracuje se se SRAM a při vypnutí se obsah SRAM automaticky zkopíruje do EEPROM a při zapnutí zase naopak. Maká to bezvadně, je to rychlé jako SRAM. Jediný rozdíl je jeden kondenzátor, který zajistí energii pro přepis do EEPROM.
ten tlačítkovej blázinec, u kterýho není zřejmý co je vlastně nastavenýho, s pochybným ukládáním na EEprom jsem opustil
...
Maká to podle přepínače BCD, hned je vidět co je nastavený a žádný blbnutí s EEPROM.
...
Maká, není co dál řešit.
A to by se dalo jít ještě níž a pro danou aplikaci použit potenciometr a A/D, kde je taky vidět co je nastaveno, na nějakých 5% rozlišení i od oka se dostaneme taky, zabere to jediný pin, životnost taky slušná.
A nakonec svatokrádežně vůbec návrat k selskýmu rozumu a pwm-ovat s astabilem se změnou střídy s 2 tranzistorama.
Předkové by vrazili rovnou do tělesa pájky bimetálek a šmidra vydra.
Založen: Apr 02, 2011 Příspěvky: 17729 Bydliště: Nový Bydžov
Zaslal: st březen 15 2023, 15:33 Předmět:
Crifodo napsal(a):
A to by se dalo jít ještě níž a pro danou aplikaci použit potenciometr a A/D, kde je taky vidět co je nastaveno
Ale to na začátku bylo, akorát kvalita plochýho poťáku, (viz jiné vlákno zde) co jsem si objednal od radši nejmenovaného dodavatele byla otřesná, chrastil už novej a měl jsem obavu že se během chvíle rozpadne. A druhej kus byl na tom némlich stejně.
Tu bimetalovku znám, Ersa, otáčelo se kroužkem na rukojeti. Bohužel se asi po 3 letech používání rozsypala. Ale jiný Ersy makaj dodnes, koupeno 1982.
Akorát mě došly nejvíc používaný hroty ale dnes jsem v AME zjistil, že Solomon ti jistí. Sice je o pár mm kratší tyčka do tělíska, ale maká. A jsou u toho prapodivný hroty, vše ze železa včetně toho Solomonu vpravo.
Založen: Jan 01, 2023 Příspěvky: 1692 Bydliště: Česká Lípa
Zaslal: so březen 18 2023, 13:43 Předmět:
samec napsal(a):
Koľko zápisov vydrží telefónna SIM karta? Mám tu ďalšiu, ktorej skončila platnosť a príde mi škoda ju vyhodiť do smetia.
V SIM kartách bývají obyčejné EEPROM (2 až 8KB). Počet zápisů bývá v rozmezí cca od 100000 do 1000000 na stejnou adresu tj. na každou buňku paměti. Při využití jen malé části adres a s postupnou změnou tj. použitím jiných adres v čase se výdrž prodlouží tím, že se nebudou používat stále stejné adresy buněk paměti.
Změnu adres si musíte ošetřit ve vlastním SW, který s EEPROM v té SIMce bude pracovat. Třeba bude používat strukturu zabírající v paměti 10 bajtů místa, které se budou zapisovat vždy najednou. K tomu přidáte třeba na začátek bloku 2 bajty WORD hodnotu čítače zápisů toho bloku. Takže paměť bude rozdělena na bloky po 12-ti bajtech dat včetně čítače zápisů pro každý blok. Začnete s prvním blokem. Při každém zápisu celého bloku zvýšíte hodnotu čítače pro první blok o 1. Pokud hodnota čítače pro první blok paměti dosáhne 65535 tak začnete používat druhý blok atd. Počtem zápisů 65535 na stejné místo v paměti nepřekročíte ani tu zmíněnou dolní hranici 100000 zápisů. Pokud bude v SIM paměť 8KB tj. 8192 bajtů tak by vám to mělo vydržet celkem na 682 bloků * 65535 zápisů = celkem 44 694 870 zápisů.
Pokud budete používat menší blok dat než 12 bajtů tak bude výdrž větší a naopak pokud budete používat větší blok dat než 12 bajtů tak bude výdrž menší.
Pokud by se například používal dle toho co psal Celeron v úvodu tohoto tématu jen jeden bajt dat a k tomu by se doplnily dva bajty pro čítač tj. celková délka 3 bajty na blok tak by to při 8KB paměti mělo vydržet na 2729 bloků * 65535 zápisů = celkem 178 845 015 tj. skoro 179 milionů zápisů.
Pro identifikaci, který blok paměti je aktuální pro čtení i zápis můžete na konci paměti vyhradit 2 bajty tj. offset aktuálně používaného bloku (pozn. nazvěme to třeba AktBlokOffset). Tato hodnota bude na počátku 0 pro první blok a pak se bude pouze při změně na další blok zvyšovat o délku bloku.
Příklad (zápis v jazyce C):
Takže např. víte, že používáte SIM s délkou paměti 8192 bajtů a délku bloku 3 bajty včetně čítače zápisů.
typedef struct {
unsigned short int Zapisu;
unsigned char Data;
} BLOK;
unsigned short int AktBlokOffset;
struct BLOK AktBlokData;
// Pri cteni dat z EEPROM se z adresy na offsetu AKTBLOK nactou 2 bajty
// do promenne AktBlokOffset tj. offset aktualne pouzivaneho bloku.
//
// Pote se z EEPROM nactou data bloku vcetne citace
// do struktury AktBlokData tj. delka DELKA_BLOKU
// pocinaje offsetem dle AktBlokOffset.
// Před zápisem do EEPROM se zkontroluje pocet zapisu
// v datech nactene struktury bloku v polozce
// AktBlokData.Zapisu a pokud bude 65535 tak se posune
// hodnota offsettu v promenne AktBlokOffset o DELKA_BLOKU.
if (AktBlokData.Zapis < 65535) {
AktBlokData.Zapis++;
// nyni se zapisou data ze struktury AktBlokData
// do pameti EEPROM tj. delka DELKA_BLOKU na offset AktBlokOffset
...
} else {
// pocet zapisu pro aktualni blok vycerpan
// posun na dalsi blok
// nyni se zapise hodnota z promenne AktBlokOffset
// do pameti EEPROM tj. delka 2 bajty na offset AKTBLOK
...
// pote se zapisou data ze struktury AktBlokData
// do pameti EEPROM tj. delka DELKA_BLOKU na offset AktBlokOffset
...
} else {
// Signalizace/upozorneni ze je pocet zapisu do EEPROM vycerpan.
// Je to samozrejme jen SW upozorneni ve vztahu k pouzitemu poctu 65535
// a fyzicky mozny pocet zapisu do te ci one EEPROM muze byt vyssi.
...
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku Předchozí1, 2, 3
Strana 3 z 3
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
