No, lepsi by bylo spinat ho rovnou tim obvodem kterym spinas rele, pokud potrebujes galvanicke oddeleni, tak tam dej optoclen. Na kontaktech relatka jsou pri sepnuti a rozepnuti zakmity, ty se ti mohou kopirovat do zateze.
Založen: Nov 18, 2015 Příspěvky: 171 Bydliště: Brno-venkov
Zaslal: so březen 30 2019, 12:15 Předmět:
To je mi vcelku jedno, bude to spínat topné těleso. Jen mi jeden známí neustále tvrdí že to ten tranzistor nedá, že se bude zavírat pomalu.
A spínat ho můžu tím obvodem co spíná relátko a zemnit přes odpor.
Naposledy upravil volente dne so březen 30 2019, 13:17, celkově upraveno 1 krát.
To, jest-li to tranzistor "dá" nebo "nedá" lze odvodit od proudu zátěží a typu tranzistoru (a nesmí být zapojen jako "sledovač"). Rychlost sepnutí je v tomto případě (topné těleso) méně významná, pokud jde o jednorázové spínání.
Založen: Nov 18, 2015 Příspěvky: 171 Bydliště: Brno-venkov
Zaslal: so březen 30 2019, 14:22 Předmět:
Jde o to že tvrdí že tento mosfet nevydrží to pomalé rozepnutí protože bude po dobu ms překročen ztrátový výkon. Co se týká proudu i napětí je to snad dostatečně dimenzované.
Jsem jen prostý elektrikář s nějakou malou znalostí elektroniky, ale nějak se mi nezdá že by to ten tranzistor odpálilo. Proto jsem se rozhodl zeptat.
Omlouvám se za přehlédnutí údajů. Takže v tvém případě platí ta červená čára na grafu. Znamená to, že tranzistor by měl tvoje požadavky splnit, bude-li čas jeho sepnutí nebo rozepnutí kratší než 1ms. Pokud bude gejt řízen zdrojem s nízkým odporem (do výše max. jednotek kΩ), máš "splněno".
Kontak relé není pro tento účel vhodný. Má sice malý odpor, ale zase vlivem jeho zákmitů dochází k většímu počtu nedefinovaných sepnutí/rozepnutí, což představuje jisté riziko. Proto je vhodné tranzistor spínat "definovaným" řídícím průběhem, přes vhodný budič.
Jsou v podstatě 2 možnosti. Buď vyvést z modulu ovládací napětí pro relé (pokud splňuje podmínky SOA) a nebo použít R-S klopný obvod. Principiální schema přikládám.
p.s. Ještě upozorňuji na nutnost zajistit, aby ovládací napětí bylo k dipozici dříve, než napětí silového obvodu, popř. zařadit další ochranné obvody, zajišťující tento požadavek (není možné připustit připojení/odpojení ovládacího napětí 12V během "provozu").
Založen: Dec 02, 2011 Příspěvky: 2676 Bydliště: Jaroměř
Zaslal: ne březen 31 2019, 9:50 Předmět:
Pokud opravdu potřebuju spínat v high side a nemůžu použít FET typu P nebo obvod BTS (BTS409,BTS410,BTS432F...),dám FET vodivosti N a "plovoucí buzení" z obvodu HCNW3120 s napájením z malýho oddělovacího měniče (třeba 15V/15V 1-2W).Obvod buzení tak není vícebodově spojenej s výkonovým(spojený jen GND výstupu měniče se S tranzistoru FET).Je to o něco dražší,ale používá se to běžně,protože spousta FETů existuje jenom N a stejný typu P prostě nejsou (hlavně ty opravdu silnoproudý(BSM111) a ty "vysokonapěťový"(IRG4PC50W),natož IGBT(o IGBT s P/PNP jsem nikdy neslyšel) nemaj protikus P nebo o něm nevim).
Možná se dívám na to špatně, ale tu oblast SOA chápu jinak.
Ten pravý horní roh červené platí pro případ, že po dobu 1ms bude na tranzistoru 27V a poteče jím proud 25A - ale to při spínání tranzistoru s odporovou zátěží, který tady řešíme, přece nikdy nenastane, v nejhorším případě, při napůl otevřeném tranzistoru, bude na něm polovina napětí a poteče poloviční proud.
Takže se dostáváme až pod tu hranici 10ms, takže ten přeběh okolo toho nepříznivého maxima výkonu v polovině spínání by měl trvat chviličku.
Na obrázku jsem zelenými tečkami nakreslil přibližně body, kudy tranzistor cestuje.
Nebo je to špatná úvaha?
Ne. Tvoje úvaha je správná. Já jsem si to poněkud "zjednodušil" a byl jsem tak na spínací rychlost příliš přísný. Nicméně i v tomto případě není z výše uvedených responze křivek jisté, že tranzistor s kapacitou 3nF včas vypne. Druhá věc je, že by ten návrh neměl být příliš "na hraně" a měl by mít bezpečné rezervy.
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku Předchozí1, 2, 3Další
Strana 2 z 3
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
. Nicméně i v tomto případě není z výše uvedených responze křivek jisté, že tranzistor s kapacitou 3nF včas vypne. Druhá věc je, že by ten návrh neměl být příliš "na hraně" a měl by mít bezpečné rezervy.