Ahoj, blíží se čas mých zkoušek.. dnes jsem trošku studoval témata a narazil jsem na téma výkonové usměrňovače koukal jsem na Google nic moc jsem nenašel ptal jsem se i našeho mistra který neměl ponětí o čem mluvím... trošku jsem přemýšlel "hmm výkonový usměrňovač bude usměrňovač na stovky watů" dospěl jsem k názoru že když bude spotřebič, který bude spotřebovávat třeba 5000W a bude připojený na 230 V tak proud je +/- 20A takže normální dioda je na prd.. protože když bude úbytek 0,8V tak jsou ztráty na diodě 16W při takovém ztrátovém výkonu dioda už bude pěkně hřát .. nakreslil jsem pár nápadu jak bych to realizoval byl bych rád za potvrzení nebo vyvrácení mého nápadu... teď mě napadlo že místo fetu by šel použít tyristor
P.S nedával jsem žádné rezistory do gate nejspíš by bylo vhodné je tam umístit ale jde jen o princip...
Založen: Oct 30, 2010 Příspěvky: 6602 Bydliště: Praha
Zaslal: čt květen 04 2017, 20:33 Předmět:
U zkoušky to bude asi zajímavé Ani bych snad radši nechtěl být tím zkoušejícím...Tazateli doporučuji uchopit nějaký ten MOSFET a zkusit si ho změřit mezi D a S v závěrném směru diodtestem, pokud mu tedy toto není jasné na základě toho, co se o MOSFET struktuře zřejmě měl v průběhu studia naučit. Co se spojení G a D a polarizování v propustném směru týče, může si tazatel zkusit zodpovědět cvičně otázku, nakolik se takto zapojený tranzistor může asi tak sepnout a proč. Synchronní usměrňovač se jinak pro omezení ztrát na diodách samozřejmě používá, jeho topologie i řízení je ale "kapku" složitější.
Založen: Mar 16, 2005 Příspěvky: 31847 Bydliště: Česká Třebová, JN89FW21
Zaslal: čt květen 04 2017, 20:41 Předmět:
Já nevím nad čím špekuluješ - dřív bylo poměrně normální koupit Si diody TESLA na 20A (typy KY715, KY717, 718, 719 a možná i vyšší), pro alternátory se dělaly typy s proudem ještě vyšším - až na 70 a dokonce 90A.
A ani dneska není problém koupit diody na 50-60A, akorát už nejsou v kovu, ale v bakelitu s kovovou zadní plochou. Pro průmyslový využití pak existujou typy klidně i na stovky a tisíce ampér - ano, cena je mimo možnosti amatéra, ale jsou. Nechápu, proč tam mocí mermo cpeš FETy, notabene když neuvažuješ třeba o ochraně gate před přepětím atp ... _________________ Nasliněný prst na svorkovnici domovního rozvaděče: Jó, paninko, máte tam ty Voltíky všecky...
vařil jsem vážně z vody.. když se zeptáte zadávajícího "co to je?" a on vám řekne "neviděl jsi nikdy usměrňovač...." proč je tam teda to slovo výkonový ? tak pak jedině mě napadá řízený usměrňovač
Založen: Oct 30, 2010 Příspěvky: 6602 Bydliště: Praha
Zaslal: čt květen 04 2017, 20:49 Předmět:
A proč by v názvu nemohlo být označení výkonový uvedeno? Dioda prostě na jednu stranu (téměř) nevede, na druhou stranu (téměř) vede. Úbytek na otevřené diodě je věc nehezká a třeba ve spínaných zdrojích jsou obvykle právě diody zdrojem největších ztrát. Řízený prvek (mosfet) má typicky na svém Rds on výrazně menší ztrátu, než je ztráta na úbytku na diodě, a to i dobré schottky. Takže ano, diody jsou problém, jak chci zvyšovat účinnost, musím řešit diodu, tedy nahradit ji dalším správně synchronně řízeným MOSFETEM. Toto ale v žádném případě nelze zapojit tak, jak autor vlákna výše uvádí.
Založen: Mar 16, 2005 Příspěvky: 31847 Bydliště: Česká Třebová, JN89FW21
Zaslal: čt květen 04 2017, 20:50 Předmět:
Výkonovej je od slova VÝKON = to znamená, že přes něj teče proud nikoliv malej, respektive že cílem funkce usměrnění je získat proud, nikoliv jen nějaký (signálový) napětí. V podstatě těch slov se může za výkonovej považovat už usměrňovač s proudem pouhýho půl ampéru, pokud bude například usměrňovat napětí 1kV nebo i vyšší - furt přes něj budeš brát výkon půl kilowattu.
Prostě to je jen relativní pojem a při jeho konstrukci a rozboru musíš brát do úvahy trochu jiný parametry, než při návrhu signálovýho = napěťovýho usměrňovače. V případě potřeby proudu tě bude zajímat frekvence usměrňovanýho napětí, doba zotavení takovejch diod, jejich závěrnej proud v závislosti na teplotě, úbytek napětí v propustným směru včetně závislosti na teplotě, z toho plynoucí ztrátovej výkon na jedný diodě i na můstku atp. _________________ Nasliněný prst na svorkovnici domovního rozvaděče: Jó, paninko, máte tam ty Voltíky všecky...
BTW kdybych takový usměrňovač navrhoval tak jak by mělo schéma vypadat aby byl jednoduchý a zvládal vysoké výkony s malými ztrátami... možná máte pravdu že se muže jednat o normální můstek, ale když zadávají se s vámi baví jak kdyby to byla samozřejmost tak nevím co si mám o tom myslel.. dobře když se bude jednat o normální diodový usměrňovač nemám problém ale co když ne ?
usm.JPG
Komentář:
ještě jsem něco na rychlo nakreslil... nepočítal jsem žádné součástky beru to jen teoreticky..
Založen: Oct 30, 2010 Příspěvky: 6602 Bydliště: Praha
Zaslal: čt květen 04 2017, 21:26 Předmět:
Stále viz. moje první odpověď, a) proč si myslíš, že by se měl tranzistor sepnout, kde se vezme napětí pro gate? b) proč si myslíš, že by tranzistor měl zůstat nevodivý, když bude source kladnější, než drain? Možná by bylo dobře, kdyby ses pokusil okomentovat zapojení alespoň pro dva stavy, největšího kladného a největšího záporného napětí zdroje.
Tobě uniká důležitá věc - každý výkonový NFET má integrovanou diodu mezi S-D.
Takže ve tvém návrhu by se ta dioda uplatnila při záporné půlperiodě.
Tak se to nedělá - ten NFET musí mít S-D zapojený naopak a otevírat ho musí pomocný obvod mezi G-S (naznačen zdroj a spínač).
Takže ten pomocný obvod vlastně pak zkratuje tu vnitřní diodu v kladné půlvlně
Tazatel píše o "mistrovi", jedná se tedy pravděpodobně o učňovské zkoušky. V tom případě bych se držel při zemi, vyloučil řízený usměrňovač a zůstal u jednoduché diody. Specifikum výkonového usměrňovače pak bude asi ve výběru diody, ztrátovém výkonu, nutném chlazení atd. Maximálně rozdíl mezi středním a efektivním proudem a z toho plynoucí ztrátový výkon, maximálně výpočet tepelného odporu chladiče, ale to už je možná moc - spíš jen povědomost o tepelných odporech. _________________ Nebojte se skloňovat (i cizí slova).
Tobě uniká důležitá věc - každý výkonový NFET má integrovanou diodu mezi S-D.
Takže ve tvém návrhu by se ta dioda uplatnila při záporné půlperiodě.
Tak se to nedělá - ten NFET musí mít S-D zapojený naopak a otevírat ho musí pomocný obvod mezi G-S (naznačen zdroj a spínač).
Takže ten pomocný obvod vlastně pak zkratuje tu vnitřní diodu v kladné půlvlně
předpokládám že pomocný zdroj by měl zareagovat až se na vstupu objeví napětí o určité hodnotě... tím pádem by sel použít jednoduchý zdroj s grecem a komparátor který bych galvanicky oddělil a spínal fet porovnání napětí ze sítě/reference
TINA.JPG
Komentář:
je to jen teoreticky takže mě nepište že by to nefungovalo protože odpor...
Založen: Mar 30, 2012 Příspěvky: 3571 Bydliště: Havířov
Zaslal: pá květen 05 2017, 21:41 Předmět:
No já nevím, ale pod pojmem "výkonový" usměrňovač si představím něco o velikosti tak šatní skříně...
Napřed bych si tedy zjistil o jaký výkon by se asi tak mělo jednat.
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku 1, 2Další
Strana 1 z 2
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
Ani bych snad radši nechtěl být tím zkoušejícím...Tazateli doporučuji uchopit nějaký ten MOSFET a zkusit si ho změřit mezi D a S v závěrném směru diodtestem, pokud mu tedy toto není jasné na základě toho, co se o MOSFET struktuře zřejmě měl v průběhu studia naučit. Co se spojení G a D a polarizování v propustném směru týče, může si tazatel zkusit zodpovědět cvičně otázku, nakolik se takto zapojený tranzistor může asi tak sepnout a proč. Synchronní usměrňovač se jinak pro omezení ztrát na diodách samozřejmě používá, jeho topologie i řízení je ale "kapku" složitější.
