Založen: Jan 17, 2007 Příspěvky: 6323 Bydliště: Husinec-Řež
Zaslal: út únor 28 2017, 11:41 Předmět: SiC
Právě mě dorazilo pár kusů tranzistorů vyrobených z karbidu křemíku. Je to nová technologie, máte s tím někdo nějaké zkušenosti?
Já mám mosfet C2M0280120D, koupil jsem ho pro generátor krátkých pulsů, standardní mosfet tranzistory mají diodu s dlouhým trr, zde je to o řád lepší, taky kapacity jsou někde jinde a cena? za hubičku. Mám čekat nějaké obstrukce, které v datasheetu nevidím?
SCTW100N65G2AG s gatedrivery UCC27531
22mΩ ! a hlavně ta nebrzdící dioda v praxi znamená déčkový, nebo TD zesilovač 2.5kW v nezměněném zapojení ještě míň se zahřívající oproti IRF644.
Založen: Feb 14, 2005 Příspěvky: 8978 Bydliště: Brno (JN89GF)
Zaslal: út únor 28 2017, 12:54 Předmět:
Bacha na překmity na gate, podle mých zkušeností jsou mnohem míň tolerantní jak běžný FETy a prorazí se ochotněji.
Ideální buzení je +20 -5 V pro nejrychlejší otevření a zavření a nejmenší RDSon, ale zase UGS max je jen 25 V.
OK potom sem hoď výsledek pokusů, jak to vypadá na cca 1.5 až 2MHz a 200V, pokud to pude tak 5 až 30A, indukčnost 5 až 10µH. Potřebuju to kvůli téčku se sigma-delta modulátorem druhého řádu.
Pak-li že to projde, bude zcela zbořeno dogma o spínacích zesilovačích a nutnosti vyvíjet lineární hifi zesilovače ve třídě AB.
Protože mám praktickou zkušenost na 1300kHz s obyč mosfety a gatedriver bylo nutné chladit, kapacita Cgs je u SiC zhruba totožná.
Nakonec, když se Ti bude chtít a budeš mít čas, můžeš vzít ověřené zapojení Class D sampon 2200 stačí ho zapojit jen jednu půlku/ bez mostu/, osadit SiC nejlépe s příslušnými gatedrivery, brzdící kondíky 220p na vstupech gatedriverů zmenšit co to půjde, třeba na 47p a kondík ve zpětné vazbě integrátoru taky zmenšit co to pude, dát tomu DC 150V, jinak všechno můžeš nechat, tak jak je a zkontrolovat hertzmetrem na jakém kmitočtu to poběží. Takto upravené by to mělo naskočit aspoň na 700kHz. ( nyní to běží na 360kHz)
Ano, počítám se 100A SiC dostávám se na 3nF, samotný mosfet má k 1nF a musí být tři paralelně. Vzhledem ke gatedriveru je to zhruba totožné a proto -3 a +13.5V.
Ve výsledku však menší a to je dobře.
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
