Zaslal: so srpen 24 2019, 9:15 Předmět: Stabilizátor s MOSFET
Dobrý den, potřeboval bych poradit respektive vysvětlit jak se správně navrhuje napětový stabilizátor ale s MOSFET. Navrhnout lineární stabilizátor
s bipolárním tranzistorem podepřený zenerkou umím. To samé bych chtěl udělat s mosfetem IRF820.
Stačí mi jen učebnicový příklad návrhu a výpočtu třeba s Uin= 40V, Uvýst= 30V/,1A.
Příkladů s bipolárním tranzistorem jsou mraky ale příklad s MOSFETEM s kterým by to bylo vysvětleno jsem nenašel.
V podstatě stejně, jako s bipolárem, jen místo Ube použiješ Ugs a proudové zesílení nemusíš řešit, návrh se omezí na návrh stabilizátoru s Uzd+Ugs. Také musíš použít ochranu proti překročení dovoleného +-Ugsmax, výpočet ztrátového výkonu je také stejný.
Založen: Feb 24, 2007 Příspěvky: 3995 Bydliště: Zlínsko
Zaslal: so srpen 24 2019, 9:54 Předmět:
jezevec napsal(a):
Mosfet je spínací prvek a pro lineární aplikace nevhodný.
A proto se hojně používá v zesilovačích audio? Zajímavé. _________________ To,že někdo dělá věci jinak než by jsi je dělal Ty ještě neznamená,že to dělá špatně.
Založen: Mar 21, 2006 Příspěvky: 33950 Bydliště: Bratislava
Zaslal: so srpen 24 2019, 10:08 Předmět:
MOSFETy sa pouzivaju aj v linearnych stabilizatoroch. Casto to videt na zakladnych doskach PC ako napajanie chipsetu a pod. Byva tam operak, par suciasto okolo a FET.
Založen: Mar 16, 2005 Příspěvky: 31903 Bydliště: Česká Třebová, JN89FW21
Zaslal: so srpen 24 2019, 12:31 Předmět:
Je potřeba rozlišovat MOSFET a MOSFET. Třeba takový "laterální" MOSFETy mají právě pro svoji menší strmost přímo určení do analogový techniky - daní za lepší chování v lineární oblasti je menší účinnost, protože mají ve srovnání s ryze spínacíma MOSFETama mnohem větší hodnoty RDSON - to je naopak vylučuje z ryze spínacích aplikací, kdy mají i v plně otevřeným stavu nemalej úbytek napětí. To ale v lineárních aplikacích nevadí. _________________ Nasliněný prst na svorkovnici domovního rozvaděče: Jó, paninko, máte tam ty Voltíky všecky...
Založen: Jun 14, 2003 Příspěvky: 2794 Bydliště: Blížejov
Zaslal: so srpen 24 2019, 16:29 Předmět:
Bipolární tranzistor má poměrně malý a jakž takž definovaný rozdíl napětí mezi B, kde je zenerka a E, kde je výstupní napětí.
U Mosfetu by se muselo zapojení řešit jinak. Tam by to chtělo rozdílový zesilovač (operák nebo minimálně 2 tranzistory)
Založen: Nov 18, 2009 Příspěvky: 1640 Bydliště: Blansko
Zaslal: so srpen 24 2019, 18:12 Předmět:
Prahové napětí Ugs bude kolem 3V a mění se s teplotou. Takže stabilita bude horší, ale pro vyšší výst. napětí a nenáročné použití by to mohlo vyhovět.
Taky pozor na to, že FETy mají sklon samovolně kmitat. Do G bych dal odpor cca 22Ω, vst. i výst. důsledně blokovat kondem keramika+ elyt.
Založen: Feb 24, 2007 Příspěvky: 3995 Bydliště: Zlínsko
Zaslal: ne srpen 25 2019, 16:00 Předmět:
EKKAR napsal(a):
Je potřeba rozlišovat MOSFET a MOSFET. .
Je potřeba rozlišovat bipolár a bipolár.
To je snad jasné,že trandy,které jsou určeny ke spínacím účelům by měly být používány v aplikacích jako spinače bez ohledu na to jesti je to bipolání trand nebo mosfet. _________________ To,že někdo dělá věci jinak než by jsi je dělal Ty ještě neznamená,že to dělá špatně.
Myslím, že v tomto případě "jednotranzistorového" stabilizátoru, který pracuje v zapojení SK (SD), tedy jako "sledovač", je vhodné vybrat právě co nejstrmější průběh závislosti Id na Ugs. U bipolárů se Ube pohybuje v relativně úzkém pásmu, u MosFetů to pásmo může být dost široké a výstupní napětí stabilizátoru průběh Id/Ugs v podstatě kopíruje jako svoji zatěžovací charakteristiku.
Založen: Feb 24, 2007 Příspěvky: 3995 Bydliště: Zlínsko
Zaslal: ne srpen 25 2019, 16:26 Předmět:
To Masar: A co teda IGBT? Byli by spokojeni všichni _________________ To,že někdo dělá věci jinak než by jsi je dělal Ty ještě neznamená,že to dělá špatně.
Založen: Mar 16, 2005 Příspěvky: 31903 Bydliště: Česká Třebová, JN89FW21
Zaslal: ne srpen 25 2019, 17:12 Předmět:
pajosek2 napsal(a):
EKKAR napsal(a):
Je potřeba rozlišovat MOSFET a MOSFET. .
Je potřeba rozlišovat bipolár a bipolár.
To je snad jasné,že trandy,které jsou určeny ke spínacím účelům by měly být používány v aplikacích jako spinače bez ohledu na to jesti je to bipolání trand nebo mosfet.
Reagoval jsem na Jozefce - protože podobně jako ty zdůrazňuješ rozdílnost technologickýho provedení bipolárů určenejch pro lineární a pro spínací účely tak existujou i různě technologicky vytvořený MOSFETy - jsou typy vhodnější pro spínání, protože mají ve svojí struktuře v podstatě vytvořeno několik paralelně spojenejch kanálů (tím dosahujou mnohonásobně sníženej odpor otevřenýho kanálu), ale pro lineární aplikaci se nehodí, protože mají zároveň i velkou kapacitu hradla, respektive několika paralelně spojenejch dílčích hradel nad těma paralelníma kanálama - neboli kapacitu vyžadující výkonnej proudovej budič atd - a proti nim striktně "analogový" laterální MOSFETy, který mají sice relativně větší odpor otevřenýho kanálu při plným vybuzení hradla, ale jejich odezva na změnu budicího napětí je daleko líp odpovídající jejich použití v lineárních zesilovačích ... O bipolárech jsem nediskutoval, tam jsou ty rozdíly daný dávno hlavně tím, jakou mají ty různý typy křivku ohraničující oblast SOAR ... _________________ Nasliněný prst na svorkovnici domovního rozvaděče: Jó, paninko, máte tam ty Voltíky všecky...
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.