Ano, bez tranzistoru to funguje, protože ICL šváb má v sobě dvojčinný koncový stupeň zabudovaný. Ale tento koncový stupeň je proudově dimenzován jen pro buzení MOS-FET tranzistorů (tedy nabíjení a vybíjení kapacity C_gate-source), nikoli pro zatížení "silovými" obvody.
S tou Zenerkou by to vypadalo tak, jak je to nakreslené na tom mém schématu, na které jsi sám dal odkaz ve svém předchozím příspěvku. Během magnetizace se magnetizační proud uzavírá ve smyčce zdroj-primár-tranzistor-zdroj. Během demagnetizace ve smyčce primár-antisériová dioda-Zenerka-primár. Antisériová dioda je během magnetizace polarizována v závěrném směru a brání tak zkratu primárního vinutí. Velikost napětí Zenerovy diody určuje rychlost demagnetizace. Pokud toto napětí bude větší než napájecí napětí zdroje, může měnič pracovat se střídou větší než 0,5. Tranzistor má emitor, resp. source, stále na zemi, takže nepotřebuje galvanické oddělení řídicího signálu- to je značná výhoda tohoto zapojení.
Ve tvém zapojení se magnetizační proud během magnetizace uzavírá ve smyčce zdroj-horní koncový tranzistor-kondenzátor-jedna dioda-primár-zdroj. Během demagnetizace ve smyčce kondenzátor-dolní koncový tranzistor-primár-druhá dioda-kondenzátor. Pokud mi neuniká jejich skrytý smysl, ty dvě antiparalelní diody tam k ničemu nejsou, bude to fungovat i bez nich. Pokud naopak jednu odpojíš, nebude to fungovat vůbec.
Když vyhodíš C13 a DX1 a DX2, tak už to nějak fungovat bude. Ještě dej mezi gate a výstup ICL malý odpor, třeba 47 Ω nebo podobnou hodnotu. Zenerovo napětí by mělo být aspoň 15 V, nebo i vyšší. Tranzistor je pak během demagnetizace namáhán součtem Zenerova napětí a napětí zdroje. V Zenerce je během demagnetizace pálena energie:
W_L = 0,5*L*I²_µ_max
Ztrátový výkon je pak:
P = f*W_L
Na něj musí být Zenerka s rezervou dimenzována, aby se stíhala uchladit.
Nějak jsem napsal proto, že uvedené zapojení nemám prakticky ověřené a nikdy jsem nepracoval s P MOS-FETem. Stavěl jsem variantu s N MOS-FETem, a ta fungovala podle předpokladů. Zde je to prakticky stejné, jen je použit P MOS-FET a "studený" konec trafa je trvale na zemi. Jeden konec kapacity C_gate-source je trvale připojený k + 15 V, druhý je ICLkem střídavě připojován k zemi (nabíjení kapacity, zapínání tranzistoru, napětí ve směru gate-source je záporné) nebo k + 15 V (vybíjení kapacity, vypínání tranzistoru, napětí gate-source je nulové). Takže já nevidím důvod, proč by to nemělo fungovat. Jestli jej někdo vidí, ať jej napíše. Já nejsem vševědoucí.
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku Předchozí1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
Strana 8 z 8
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.