Zaslal: st říjen 22 2025, 10:54 Předmět: GaN bidi switch
Uvažuji, že bych v přepínači baterek nahradil N-MOSFET modernějším GaN tranzistorem.
Zapojení s N-MOSFETEM je úplně základní, přepíná to dvě baterky 48V.
U GaN jsem koukal, že v příkladech jsou tranzistory spojeny Drainy, to znamená 2x galvanicky oddělený budič - to už leze do peněz.
Je nějaký důvod, proč by ty GaN tranzistory nešli spojit Sourcem dohromady a budit to jedním budičem jako MOSFETy?
Asi jo, ten původní MOSFET stojí asi 100Kč kus, GaN stojí 150Kč kus a je asi 3x menší a měl by mít ztráty méně než poloviční. Tady teče při rozjezdu a akceleraci asi 80A a pak trvale 30-40A.
Jediná nevýhoda by měla být, že ty GaN mají strašně exotická pouzdra.
Ja màmnpocit že GaN je v tejto aplikácii úplne zbytočný.
Jedná sa o odpojovač batérií a nie spínaný zdroj. Mosfety trpia hlavne na straty v linearnej oblasti (teda v čase keď mosfety sú medzi zapnutým a vypnutým stavom. V zapnutom stave trpia iba RdsON.
Držal by som sa klasických mosfetov ktoré majú naj nižšie RdsON a neriešil nič iné. Vôbec by som neriešil náboj brány ani rýchlosť .
Založen: Jun 04, 2016 Příspěvky: 850 Bydliště: Brno
Zaslal: čt říjen 23 2025, 12:08 Předmět:
Podle mne ne. GaN FETy nemaji izolovane hradlo jako obycejne kremikove MOSFETy. To mj. znamena, ze pri opacne polarite na D-S se na hradle objevi napeti z drainu. Takze pokud hradla obou tranzistoru spojis dohromady, tak muze falesne otevirat druhy tranzistor. To je IMO taky duvod, proc museji byt zapojeny drainy k sobe. Chovani GaNu pri opacne polarite (v tretim kvadrantu) je vysvetleno zde:
Na to jsem koukal u hotových řešení, kde jsou dva tranzistory v jednom pouzdru - je tam nějaká chytristika, která řeší nějaká napětí Gate proti substrátu. Co jsem na to letmo koukal, tak se snaží podle polarity přepnout substrát na jednu nebo druhou stranu.
Založen: Jan 12, 2009 Příspěvky: 7329 Bydliště: Plzeňsko
Zaslal: ne listopad 02 2025, 19:35 Předmět:
Ta schematická značka vypadá jako kdyby to byl JFET. _________________ Sháním hasičák s CO2 "sněhový", raději funkční.
(Nemusí mít platnou revizi.)
(Celkově budu raději, když se to obejde bez papírů.)
Pro statické ztráty je významný jediný parametr, a to Rdson.
Takže vezmi ten opěvovaný GaN (neuvádíš typ a neuvádíš ani provozní proudy z/do aku - proč?) a porovnej ho pouze v tomto směru s normálním Si MOSFETem. Ty jsou tu s námi už fakt dlouho, jsou a budou běžně dostupné a jsou léty "odladěné"...
Vážně nechápu tu neustálou snahu měnit něco, co funguje a přidělávat si práci. _________________ Kdo chce, hledá způsob;
kdo ne - hledá důvod.
Ze dvou možností často volím tu třetí.
Naposledy upravil JirkaZ dne ne listopad 02 2025, 21:15, celkově upraveno 1 krát.
Založen: Jun 04, 2016 Příspěvky: 850 Bydliště: Brno
Zaslal: ne listopad 02 2025, 22:08 Předmět:
Ten obrazek muze byt matouci. AlGaN vrstva je bohata na elektrony a vlastne je klic k tomu, ze to vubec funguje. V praxi se GaN hradlo chova spise jako "spatna dioda". I pri normalnim pouziti (v prvnim kvadrantu) do hradla tece SS proud v radu stovek uA az jednotek mA. Nekteri vyrobci GaNu v datasheetech proto uvadeji i statickou A-V charakteristiku hradla. Rozhodne se nechova jako izolovane, i kdyz v porovnani s proudem pres S-D je proud hradla zanedbatelny.
Pro statické ztráty je významný jediný parametr, a to Rdson.
Takže vezmi ten opěvovaný GaN (neuvádíš typ a neuvádíš ani provozní proudy z/do aku - proč?) a porovnej ho pouze v tomto směru s normálním Si MOSFETem. Ty jsou tu s námi už fakt dlouho, jsou a budou běžně dostupné a jsou léty "odladěné"...
Vážně nechápu tu neustálou snahu měnit něco, co funguje a přidělávat si práci.
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku 1, 2Další
Strana 1 z 2
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
