Vítejte na Elektro Bastlírn?
Nuke - Elektro Bastlirna
  Vytvořit účet Hlavní · Fórum · DDump · Profil · Zprávy · Hledat na fóru · Příspěvky na provoz EB

Vlákno na téma KORONAVIRUS - nutná registrace


Nuke - Elektro Bastlirna: Diskuzní fórum

 FAQFAQ   HledatHledat   Uživatelské skupinyUživatelské skupiny   ProfilProfil   Soukromé zprávySoukromé zprávy   PřihlášeníPřihlášení 

GaN bidi switch

 
Přidat nové téma   Zaslat odpověď       Obsah fóra Diskuzní fórum Elektro Bastlírny -> Řešení problémů s různými konstrukcemi
Zobrazit předchozí téma :: Zobrazit následující téma  
Autor Zpráva
HF_Tech



Založen: Apr 25, 2022
Příspěvky: 1688

PříspěvekZaslal: st říjen 22 2025, 10:54    Předmět: GaN bidi switch Citovat

Uvažuji, že bych v přepínači baterek nahradil N-MOSFET modernějším GaN tranzistorem.
Zapojení s N-MOSFETEM je úplně základní, přepíná to dvě baterky 48V.
U GaN jsem koukal, že v příkladech jsou tranzistory spojeny Drainy, to znamená 2x galvanicky oddělený budič - to už leze do peněz.
Je nějaký důvod, proč by ty GaN tranzistory nešli spojit Sourcem dohromady a budit to jedním budičem jako MOSFETy?



MOSFET spínač.png
 Komentář:
Spínač s N MOSFETem
 Velikost:  19.56 kB
 Zobrazeno:  5 krát

MOSFET spínač.png



GaN bidi switch.png
 Komentář:
Příklad spínače s GaN tranzistorem
 Velikost:  40.48 kB
 Zobrazeno:  7 krát

GaN bidi switch.png


Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
eleferner



Založen: Jun 04, 2016
Příspěvky: 813
Bydliště: Brno

PříspěvekZaslal: st říjen 22 2025, 22:49    Předmět: Citovat

Ma to vubec smysl? GaN se pouziva primarne ve spinanych zdrojich, protoze jsou rychle a tedy maji male prepinaci ztraty na vysokych kmitoctech.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
HF_Tech



Založen: Apr 25, 2022
Příspěvky: 1688

PříspěvekZaslal: čt říjen 23 2025, 7:11    Předmět: Citovat

Asi jo, ten původní MOSFET stojí asi 100Kč kus, GaN stojí 150Kč kus a je asi 3x menší a měl by mít ztráty méně než poloviční. Tady teče při rozjezdu a akceleraci asi 80A a pak trvale 30-40A.
Jediná nevýhoda by měla být, že ty GaN mají strašně exotická pouzdra.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
AdamVarga



Založen: Nov 04, 2018
Příspěvky: 471

PříspěvekZaslal: čt říjen 23 2025, 9:13    Předmět: Citovat

Ja màmnpocit že GaN je v tejto aplikácii úplne zbytočný.

Jedná sa o odpojovač batérií a nie spínaný zdroj. Mosfety trpia hlavne na straty v linearnej oblasti (teda v čase keď mosfety sú medzi zapnutým a vypnutým stavom. V zapnutom stave trpia iba RdsON.

Držal by som sa klasických mosfetov ktoré majú naj nižšie RdsON a neriešil nič iné. Vôbec by som neriešil náboj brány ani rýchlosť .
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
HF_Tech



Založen: Apr 25, 2022
Příspěvky: 1688

PříspěvekZaslal: čt říjen 23 2025, 9:52    Předmět: Citovat

Otázka zní úplně jinak.
Proč mají MOSFET spojené S a proč GaN mají spojené D.
Bude to fungovat když dám dva diskrétní GaN a spojím je S?
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
eleferner



Založen: Jun 04, 2016
Příspěvky: 813
Bydliště: Brno

PříspěvekZaslal: čt říjen 23 2025, 12:08    Předmět: Citovat

Podle mne ne. GaN FETy nemaji izolovane hradlo jako obycejne kremikove MOSFETy. To mj. znamena, ze pri opacne polarite na D-S se na hradle objevi napeti z drainu. Takze pokud hradla obou tranzistoru spojis dohromady, tak muze falesne otevirat druhy tranzistor. To je IMO taky duvod, proc museji byt zapojeny drainy k sobe. Chovani GaNu pri opacne polarite (v tretim kvadrantu) je vysvetleno zde:

https://www.ti.com/lit/snoaa36

Existuji vsak "Cascode GaN", ktere uvnitr obsahuji maly klasicky MOSFET a tim kombinuji vyhody obou technologii:

https://efficiencywins.nexperia.com/innovation/gan-fets-why-cascode

S temi by to fungovat mohlo, ale vyrabi je jen par firem, takze i nabidka parametru bude omezena.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
HF_Tech



Založen: Apr 25, 2022
Příspěvky: 1688

PříspěvekZaslal: čt říjen 23 2025, 12:13    Předmět: Citovat

Na to jsem koukal u hotových řešení, kde jsou dva tranzistory v jednom pouzdru - je tam nějaká chytristika, která řeší nějaká napětí Gate proti substrátu. Co jsem na to letmo koukal, tak se snaží podle poraity přepnout substrát na jednu nebo druhou stranu.
Návrat nahoru
Zobrazit informace o autorovi Odeslat soukromou zprávu
Zobrazit příspěvky z předchozích:   
Přidat nové téma   Zaslat odpověď       Obsah fóra Diskuzní fórum Elektro Bastlírny -> Řešení problémů s různými konstrukcemi Časy uváděny v GMT + 1 hodina
Strana 1 z 1

 
Přejdi na:  
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra.
Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru.
Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru.
Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru.
Nemůžete hlasovat v tomto fóru.
Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům
Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory

Powered by phpBB © 2001, 2005 phpBB Group
Forums ©
Nuke - Elektro Bastlirna

Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.


PHP-Nuke Copyright © 2005 by Francisco Burzi. This is free software, and you may redistribute it under the GPL. PHP-Nuke comes with absolutely no warranty, for details, see the license.
Čas potřebný ke zpracování stránky 0.17 sekund